SUNX晶圓定位傳感器技術(shù)參數(shù),松下選型樣本
以往使用激光的激光式定位傳感器,激光會從加載口內(nèi)側(cè)穿過FOUP直射操作人員,危險(xiǎn)。
M-DW1成功使用LED光源。確保操作人員安全。
M-DW1以反射光的位置來檢測,不管反射光量的多少都能檢測出玻璃晶圓。
氮化膜具有可吸收特定波長光的性質(zhì),吸收的波長因氮化膜的厚度而不同。
因此,對于使用單波長激光的傳感器,可能會因光全被吸收而無法檢測。
而LED光源的光具有一定波長段,即使氮化膜晶圓也可準(zhǔn)確檢測。
實(shí)現(xiàn)0.5ms的高速反應(yīng)。兼顧高速反應(yīng)性和。
請確認(rèn)電源的波動,以免電源輸入過額定范圍。
使用市售的開關(guān)調(diào)節(jié)器時(shí),請務(wù)必將電源的框架式接地(F.G.)端子接地。
在傳感器安裝部周圍使用作為干擾發(fā)生源的設(shè)備(開關(guān)調(diào)節(jié)器、變頻馬達(dá)等)時(shí),請務(wù)必將設(shè)備的框架式接地(F.G.)端子接地。
延長電纜時(shí),可通過截面積為0.15mm2以上的電纜將全長延長至10m。不過,為避免噪音,請盡量縮短配線。
請避免與高壓線和動力線并行配線,或使用同一配線管,否則會因電磁感應(yīng)而導(dǎo)致誤動作。
直流電源請務(wù)必使用絕緣變壓器。使用自動變壓器(自耦變壓器)時(shí),有時(shí)會損壞本體和電源。
使用電源發(fā)生電涌時(shí),請將發(fā)生源與電涌吸收器連接,以吸收電涌。
利用反射光量檢測時(shí),反射光量和晶圓的邊緣形狀會影響檢測結(jié)果。
M-DW1的受光部使用2段受光元件,通過反射光位置而非反射光量進(jìn)行檢測。
因此,受晶圓厚度和反射光量的影響較小。
傳感器可以從正前方、右側(cè)、左側(cè)、下方四個(gè)方向引出電纜。
可根據(jù)傳感器的設(shè)置情況靈活調(diào)節(jié)。
尺寸為寬度80.6mm×厚度18.3mm×進(jìn)深50mm,質(zhì)量約為75g的小巧、輕盈型。
D:電源逆接保護(hù)用二極管
ZD1、ZD2:電涌電壓吸收用齊納二極管
Tr1:NPN輸出晶體管
Tr2:PNP輸出晶體管
請勿將本產(chǎn)品作為BZ人身安全的檢測裝置使用。
欲進(jìn)行以BZ人身安全為目的的檢測,請使用符合OSHA、ANSI以及IEC等各國有關(guān)人身安全BZ的法律和標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品。
安裝傳感器時(shí),請使晶圓端面與傳感器檢測面之間的距離為45mm,并且可12.5°傾斜檢測晶圓。
安裝時(shí),使用M4(長度:16mm)螺絲,緊固扭矩控制在1.2N?m以下。并且,晶圓的位置偏差(突出或凹陷等)會導(dǎo)致檢測距離變
化,但是如果誤差在5mm范圍內(nèi),也可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定檢測。
(注1):無的測量條件為使用環(huán)境溫度=+20℃。
(注2):檢測8英寸以下的晶圓時(shí),可能會因晶圓間距、定位邊或表面的狀態(tài)等而影響檢測。
(注3):對于經(jīng)研磨后厚度變薄的晶圓,如果其端面呈刀刃狀,可能會因光線不能從檢測面向受光方向反射而難以檢測。
(注4):晶圓旋轉(zhuǎn)時(shí),定位邊的較大跳動角度約為±20°。
(注5):斜向插入8英寸晶圓時(shí)的附近的間距。檢測帶定位邊的晶圓時(shí),對于避開定位邊的檢測位置,晶圓間距變得更窄,檢測信號無法分解,變?yōu)檫B續(xù)的寬幅信號。
(注1):
晶圓的中心軸與傳感器軸在一直線上(0°)將無法檢測。
安裝傳感器時(shí),必須將傳感器與晶圓保持相對傾斜。
請務(wù)必在切斷電源的狀態(tài)下進(jìn)行配線作業(yè)。
配線錯(cuò)誤會導(dǎo)致故障。
SUNX晶圓定位傳感器技術(shù)參數(shù),松下選型樣本
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